在硅片视觉检测的初期发展阶段，EL检测（电致发光）方案被广泛采用。该方案通过正向偏压并观察硅片的自发光情况来检测缺陷。然而，EL检测存在一些隐患，如二次隐裂风险和低检测效率。二次隐裂风险指的是传统EL检测需要将探针接触到硅片表面，可能引发硅片的二次隐裂，对硅片的完整性构成潜在威胁。而检测效率较低是因为传统EL检测需要逐片进行接触式检测，导致检测速度较慢，限制了生产效率的提高。

随着技术的进步，PL检测（光致发光）方案应运而生，成为EL检测的转折点。PL检测利用特定波长的激光对样品进行光学激发，通过高灵敏的相机感光和成像，实现非接触式检测。相比EL检测，PL检测具有诸多优势，如消除了二次隐裂风险、提高了检测效率，并能准确判断硅片内部缺陷情况。然而，PL检测存在激光器和配套相机价格高昂的问题，限制了其广泛应用。

▷1050nm红外光源的突破性应用

随着硅片尺寸的增大和厚度的减小，近红外光源发现了机会。经过测试，发现波长为1050nm的红外光源可以穿透部分薄硅片。由于硅片对近红外光具有较低的吸收率和较高的透光率，大部分红外光可以穿透硅片。因此，我们可以从原硅片的另一侧放置近红外相机进行成像，观察硅片内部和外观的缺陷，如隐裂、崩边缺角和表面脏污等。这种非接触式检测方法不仅避免了EL检测接触式检测可能引发的二次隐裂风险，而且成本低于PL检测使用的激光模组，同时提高了检测效率和准确性。

▷低成本PL光源的革命性突破

在市场竞争日益激烈的背景下，高昂的激光模块价格劝退了许多厂家。此时，P-LSG-350-PL光源异军突起，以价格低廉且同样能激发硅片中处于基态的电子进入激发态。这款光源在图像效果上与激光模块的效果一致，解决了PL检测中激光模块价格高且激光专用相机低像素价格就居高不下的问题。低成本PL光源的问世，使得更多厂家能够采用高分辨率的相机，提高图像的精度和检测的准确性。

硅片视觉检测在过去的几十年中经历了从EL检测到PL检测的技术转变。然而，高成本的激光模组和配套设备限制了PL检测的广泛应用。随着1050nm红外光源的突破性应用和低成本PL光源的革命性突破，硅片视觉检测迎来了全新的发展机遇。这两款光源技术以其价格合理和性能卓越的特点，改变了硅片检测的格局，光源已经批量出货，并得到客户的持续好评。为厂家提供了更灵活、高效、准确的选择。客户对1050nm红外光源和低成本PL光源的持续好评进一步证明了它们在实际应用中的优越性和可靠性。硅片视觉检测行业正在迎接新的发展时代，光源的革命性突破为行业带来了更广阔的前景与机遇。